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0专业台产大芯片 超优势报价主营台产:低中高压MOS管,达林顿,可控硅,肖特基,快恢复等二三极管。部分热销产品稳压管:L7805CV L7812CV L7815CV KA7805ETU KA7812ETU KA7815ETU TDA2030A TDA2050 LM1875TMOS管:FQP/FQPF等高压系列 IRF3205PBF IRF3710PBF IRF4905PBF IRF540N IRF640N IRFZ44N IRFP260N IRFP460/A等IR系列晶体管:TIP41C TIP42C C2073 A940 D880-Y D313-Y达林顿:TIP122 TIP127 TIP120 TIP112 TIP117 TIP147T TIP142T可控硅:BTA06/08/12/16/24-600-800BRG/CRGBTA26/41-600-800BRG/CRG BT151/152-500/600/800R BT136/137/138-600-800ETYN610 TYN61
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0开关二极管:1N4148W T4 SOD123/323肖特基二极管:1N5819 S4/SL SOD123/323 晶体管:S8050 J3Y SOT23 S8550 2TY SOT23SS8050 Y1 SOT23SS8550 Y2 SOT23以上型号特价大放送优惠大促!!!快来抢
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46电子元气件行业,留下你的联系方式。打广告者勿扰!
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0明佳达,星际金华供求 S25FL256LAGNFB010/S25FL256SAGBHIA13/S25FL256LAGBHI023存储器 S25FL256LAGNFB010 256Mbit SPI 133 MHz 8-WSON 存储器 IC 产品描述 S25FL256LAGNFB010 具有一个页面编程缓冲器,允许在一次操作中编程多达 256 字节,并提供单独的 4KB 扇区、32KB 半块、64KB 块或整个芯片擦除。 功能特点 统一的 4KB 扇区擦除 32 KB 半块统一擦除 统一 64 KB 块擦除 芯片擦除 擦除暂停和恢复 S25FL256SAGBHIA13 NOR 存储器 IC 256Mbit SPI - 四输入/输出 133 MHz 24-BGA 产品描述 S25FL256SAGBHIA13 NOR 闪存非常
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246需要的拉人#拉人#
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0明佳达,星际金华供求 S25FL128LAGNFI010/S25FL064LABMFV010/S25FL256SAGNFI000存储器 S25FL128LAGNFI010 128Mbit SPI - 四路 I/O 存储器 IC 产品描述 S25FL128LAGNFI010 用于 QIO 和 QPI 的双数据速率 (DDR) 读取命令,可在时钟的两个边沿上传输地址和读取数据。 特性 扩展寻址: 24 位或 32 位地址选项 串行命令子集和基底面与 S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S 和 S25FS-S SPI 系列兼容 多 I/O 命令子集和基底面与 S25FL-P、S25FL-S 和 S25FS-S SPI 系列兼容 S25FL064LABMFV010 64Mbit SPI - 四路 I/O 存储器 IC 产品
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1成都招聘电子元器件销售工程师,双休、朝九晚六、入职社保公积金,福利多多,欢迎大家咨询~~~
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0WMO048NV6HG4 维安MOS代理 马小姐 65V N沟道增强型功率MOSFET WMO048NV6HG4采用Wayon的第四代功率沟槽MOSFET技术,该技术特别针对最小化导通电阻和保持优异的开关性能进行了定制。该器件非常适合高效快速开关应用 Vos = 65V,ID = 90A Ros(on)< 5.2mΩ @ Ves= 10V 低 RDS(ON) 100% EAS 保证 高速功率开关 应用程序 同步整流 DC/DC 转换器
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1MP2359是一款内置功率MOSFET的单片降压开关模式转换器。它在宽输入电源范围内实现了1.2A的峰值输出电流,具有出色的负载和线路调节能力。电流模式操作提供了快速的瞬态响应,并简化了回路稳定。故障状态保护包括逐周期限流和热关断。 MP2359需要最少数量的现成标准外部组件。MP2359提供TSOT23-6和SOT23-6封装。 特征 •1.2A峰值输出电流 •0.35Ω内部功率MOSFET开关 •低ESR输出陶瓷电容器稳定 •效率高达92% •0.1μA关机模式 •固定1.4MHz频率 •热关机 •逐
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0AD9689BBPZ-2000 是一款14位双通道2GSPS模数转换器。 HMC8100LP6JE 是一款800 MHz - 4000 MHz中频接收器。 HMC8200LP5ME 是一款800 MHz - 4000 MHz中频发射器。 MAX2871ETJ 是一款23.5MHz至6000MHz小数/整数N分频频率合成器/VCO。 MAX22165CAEE 是一款快速、低功耗的六通道增强型数字隔离器。 Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
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0明佳达,星际金华供求MOSFET 晶体管:MSC017SMA120J,MSC180SMA120B,MSC180SMA120S 1200V 碳化硅 MSC017SMA120J N 沟道功率 MOSFET 模块 SOT-227-4 产品描述 MSC017SMA120J 是碳化硅 N 沟道功率 MOSFET,1200V,17mΩ SiC MOSFET,采用 SOT-227 封装。 特性 漏源电压:1200V 脉冲漏极电流:280A ID TC = 25 °C 时的持续漏极电流: 88A TC = 100 °C 时的持续漏极电流: 62A MSC180SMA120B 1200V SiC MOSFET 晶体管 TO-247-4 产品描述 MSC180SMA120B 是碳化硅 N 沟道功率 MOSFET 晶体管,1200V,180mΩ SiC MOSFET,封装为 TO-247-4。
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00165新建了一个电子交流群000请问各位大佬们,CD4046BE的内部包含分频器吗0LTM4703EY:16VIN、12A 超低噪声静音开关 3 μModule 降压稳压器 型号:LTM4703EY 封装:BGA-49 类型:μModule 降压稳压器 概述:LTM4703EY 是一款完整的 12A 降压型静音开关 3 μModule® (微型模块) 稳压器,采用 6.25mm × 6.25mm × 5.07mm 的微型球栅阵列 (BGA) 封装。LTM4703 的工作输入电压范围为 3V 至 16V,输出电压范围为 0.3V 至 6V。 LTM4703EY - 产品特征: 低噪声 Silent Switcher®3 架构 超低 EMI 发射 超低有效值噪声(10Hz 至 100kHz): 8μVRMS 在线路、负载和温度条件下,±1.5% 最大总0LT8342RV同步升压稳压器采用Silent Switcher架构。该器件包括可选扩频调制,可最大限度地降低电磁干扰(EMI)辐射,同时在高开关频率下提供高效率。该产品非常适合用于汽车和工业电源、通用升压应用。 LTM4703IY 12A降压Silent Switcher 3 μModule® 采用6.25mm × 6.25mm × 5.07mm BGA封装。该稳压器集成了开关控制器、功率MOSFET、电感器和支持元件。输入电压范围为3V至16V,输出范围为0.3V至6V,可通过单个电阻器进行调节。输出噪声在整个范围内几乎保持恒定,只需要110明佳达,星际金华供求 ADUM1440ARQZ,ADUM7440ARQZ,ADUM140E1BRWZ数字隔离器 Micropower ADUM1440ARQZ 四通道数字隔离器 16-SSOP IC 芯片 2500Vrms 产品描述 ADUM1440ARQZ 性能出众,优于光耦合器等替代器件。 特性 CSA 组件验收通知 5A VDE 合格证书 小型 16 引线 QSOP 双向通信 高达 2 Mbps 的数据传输速率(NRZ) 1Mbps 通用型 ADUM7440ARQZ 4 通道数字隔离器 16-SSOP IC 芯片 产品描述 ADUM140E1BRWZ 是四通道数字隔离器,结合了高速、互补金属氧化物半导体 (CMOS) 和单片气芯变压器技术。 特性0010000