IKW75N65ES5：采用 TO247 封装的 650V，75A 硬开关 TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT晶体管 型号：IKW75N65ES5 封装：TO-247-3 类型：IGBT晶体管 IKW75N65ES5——产品属性： IGBT 类型：沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.75V @ 15V，75A 功率 - 最大值：395 W 开关能量：2.4mJ（导通），950µJ（关断） 输入类型：标准 栅极电荷：164 nC 25°C 时 Td（开/关）值：40ns/144ns 测试条件：400V，75A，18

产品详情： 1、STW14NK50Z N通道功率MOSFET，属于SuperMESH™系列。 规格 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 500 V Id-连续漏极电流: 14 A Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V Qg-栅极电荷: 92 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 150 W STW14NK50Z N沟道500V - 0.34 Ohm - 14A - TO-247有齐纳管保护的SuperMESH(TM) 功率MOSFET 【

STW35N60DM2——600V，28A，N 通道功率 MOSFET 晶体管，TO-247-3 型号：STW35N60DM2 封装：TO-247-3 类型：MOSFET 晶体管 STW35N60DM2——产品属性： 系列：MDmesh™ DM2 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：110 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：54 nC @ 10 V Vgs（最大值）：±25V

倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC单管，SiC模块，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。倾佳电子（Changer Tech）致力于SiC模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，SiC单管在电力电子应用中全面取代IGBT单管，650V SiC碳化硅MOSFET在电源应用中全面取代Super Junction超结MOSFET! 碳中和、智能化人类社会进入生态文明发展时代，科技创新为能源、交通

IPA60R099P7：600V CoolMOS™ P7 超级结 MOSFET 晶体管，兼具高能效和易用性 型号：IPA60R099P7 封装：TO-220-3 类型：MOSFET 晶体管 IPA60R099P7——产品属性： 系列：CoolMOS™ P7 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：99 毫欧 @ 10.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 530µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：45 nC @ 10 V Vgs（最

产品说明： 1.IKW75N65EH5是高速 650 V、硬开关 IGBT TRENCHSTOP™ 5 与 RAPID 1 快速软反并联二极管共同封装在 TO-247 封装中，被定义为 “同类最佳 ”IGBT。 功能 650 V 突破性电压 与同类最佳的高速 3 系列相比 Qg 降低 2.5 倍 开关损耗降低 2 倍 VCEsat 降低 200mV 与快速 Si- 二极管技术共同封装 低 COES/EOSS 温和的正温度系数 VCEsat Vf 的温度稳定性 优势 同类产品中效率最高，结温和外壳温度更低，器件可靠性更高 外壳温度，从而提高器件可靠性 总线电压可提高 50 V，而

MOSFET 在智能音响中的应用 一、智能音响介绍 智能音响是一种集成了音频播放、语音交互、智能控制等多种功能的电子设备。它通常由扬声器单元、音频处理芯片、麦克风、无线通信模块（如蓝牙、Wi - Fi）、电源管理单元等部分组成。外观上，智能音响有各种形状和尺寸，有的小巧便携，适合户外使用；有的设计为家居装饰品，放置在客厅、卧室等场所，为用户提供音乐播放、语音助手（如查询天气、设置提醒、控制智能家居设备等）服务。 二、智

IMLT65R033M2H（碳化硅 CoolSiC™ MOSFET）：650V，N-通道MOSFET 晶体管，PG-HDSOP-16 型号：IMLT65R033M2H 封装：PG-HDSOP-16 类型：碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管 IMLT65R033M2H - 产品规格： 产品种类：碳化硅MOSFET 安装风格：SMD/SMT 封装 / 箱体：HDSOP-16 晶体管极性：N-通道 通道数量：1 Channel Vds-漏源极击穿电压：650V Id-连续漏极电流：68 A Rds On-漏源导通电阻：41mOhms Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 25 V Vgs th-栅源极阈值电压：5.6 V Qg-栅极电荷：34 nC Pd-功率耗散：312 W 工作温度：-55°C ~

型号：AO8808A-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - **双N沟道：** 该器件包含两个N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，适用于不同类型的应用，如电源开关等。 - **工作电压（VDS）：** 20V，表示MOSFET的耐压上限，适用于中低电压电路。 - **持续电流（ID）：** 7.6A，表示MOSFET可以承受的最大电流。 - **导通电阻（RDS(ON))：** 13mΩ @ 4.5V，20mΩ @ 2.5V，12Vgs(±V)，表示MOSFET在导通状态时的电阻，这两个值分别对应不同的栅极电压。 - **阈值电压（Vth)：** 0.6V，表示MOSFET进入导通状

IAUCN04S7N019D（IAUCN04S7N024D）IAUCN04S7N040D：汽车 MOSFET 晶体管 - 40V，OptiMOS™ 7 功率晶体管，双 SSO8（5x6） 型号：IAUCN04S7N019D（IAUCN04S7N024D）IAUCN04S7N040D 封装：PG-TDSON-8 类型：汽车 MOSFET 晶体管 星际金华，明佳达【供应及回收】IAUCN04S7N019D（IAUCN04S7N024D）IAUCN04S7N040D汽车 MOSFET 晶体管。 IAUCN04S7N019D - 产品规格： 40V OptiMOS™ 7 功率 MOSFET N 沟道 MOSFET 增强模式 - 正常电平 超出 AEC-Q101 的扩展鉴定 增强型电气测试 稳健的设计 MSL1 峰值回流温度高达 260°C 175°C 工作温度）

ISC079N15NM6 - OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管，150V 正常电平，PG-TDSON-8 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12.8A (Ta), 95A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）：8V，15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.4mOhm @ 36A, 15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 77µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：40 nC @ 10 V Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2900 pF @ 75 V 功率耗散（最大值）：3W (T

IPD023N04NF2S：40V N通道 MOSFET晶体管，表面贴装型，TO-252-3 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：27A（Ta），143A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V 功率耗散（最大值）：3W（Ta），150W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 供应商器件封装：PG-TO252-3 封装/外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63 星际金华，明佳达供应，回收IPD023N04NF2S【N通道 MOSFET晶体管】IPD038N06N

C3M0016120D：1200V N通道 SiCFET（碳化硅）MOSFET晶体管，TO-247-3 FET 类型：N 通道 技术：SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）：1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V 功率耗散（最大值）：556W（Tc） 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：通孔 封装/外壳：TO-247-3 星际金华，明佳达供应，回收C3M0016120D【碳化硅MOSFET晶体管】C2M0280120D C2M0280120D：1200V 单N-通道碳化硅MOSFET晶体管，TO-247-3 FET 类型：N 通道 技术：SiCFET（碳化

SPA16N50C3：560V N通道功率MOSFET晶体管，TO-220-3 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：560 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 功率耗散（最大值）：34W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：通孔 供应商器件封装：PG-TO220-3-31 封装/外壳：TO-220-3 星际金华，明佳达供应，回收SPA16N50C3【N通道功率MOSFET晶体管】IPB038N12N3G IPB038N12N3G：120V N通道功率MOSFET晶体管，TO-263-3 FET 类型：N 通道 技

介绍： 这是一款1200 V，13 mΩ EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET SixPACK三桥桥模块，采用增强型第一代CoolSiC™ MOSFET、集成式NTC温度传感器和PressFIT压接技术。 特征描述： 出色封装，高度达12 mm 先进的宽禁带（WBG）半导体材料 非常低的模块杂散电感 增强的第一代CoolSiC™ MOSFET 更大的栅极驱动电压范围 栅源电压：+23 V和-10 V 工作结温（Tvjop）：过载条件下高达175°C PressFIT压接引脚 集成了NTC温度传感器 优势： 优异的模块效率 系统成本优势 提升系统效率 降低散热

UJ4SC075018B7S：750V、18mOhm SiC FET 晶体管 1、描述： UJ4SC075018B7S 是一款 750V、18mOhm G4 SiC FET 晶体管。它采用独特的 "级联 "电路配置，将一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装，从而产生一个常闭 SiC FET 器件。 2、产品特征： 导通电阻 RDS（on）： 18mW （典型值） 工作温度 175°C（最高） 出色的反向恢复能力： Qrr = 125nC 低体二极管 VFSD：1.14V 低栅极电荷： QG = 37.8nC 阈值电压 VG(th)： 4.8V（典型值），允许 0 至 15V 驱动电压 3、产品属性： FET 类型：N 通

正面金属化工艺是MOSFET晶圆减薄前的关键工艺；目的是由溅镀或化镀方式形成UBM，接着做铜夹焊接 (Clip Bond)，以降低导线电阻；承受大电流。在使用夹焊(Clip Bond)时，由于铝垫上方必須要有凸块下金属层(Under Bump Metallurgy, 简称UBM)，来做为铝垫和铜夹(Clip)之间的焊接表面(Solder Surface) 化镀，一般称为化学镀(Chemical plating)，也称无电镀(Electro-less Plating)，在没有外加电流的条件下，利用化学药剂形成一连串可控制的氧化还原反应，使得化学药剂中的金属离子

描述 安森美半导体 NVMFS9D6P04M8LT1G MOSFET - 功率，单 P 沟道 -40 V，9.5 m，-77 A 功能特点 占用空间小，设计紧凑 低 RDS(on)，可将传导损耗降至最低 低电容，将驱动器损耗降至最低 NVMFWS9D6P04M8L - 可湿侧面产品 通过 AEC-Q101 认证并可执行 PPAP 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 规范 【供应】【收购】安森美 NVMFS9D6P04M8LT1G 表面贴装型 P 通道 40 V 17.1A（Ta），77A（Tc） 3.7W（Ta），75W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL） 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封

AIMDQ75R016M1 / AIMDQ75R040M1H：750V 高度坚固的 SiC MOSFET 晶体管 型号：AIMDQ75R016M1 / AIMDQ75R040M1H 封装：PG-HDSOP-22 类型：MOSFET 晶体管 星际金华，明佳达供应，回收AIMDQ75R016M1【SiC MOSFET 晶体管】AIMDQ75R040M1H 一、描述： AIMDQ75R016M1 / AIMDQ75R040M1H 是一款高度坚固的 SiC MOSFET 晶体管，具有最佳的系统性能和可靠性。 二、产品属性： FET 类型：N 通道 技术：SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）：750V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：98A（Tc） 功率耗散（最大值）：384W（Tc） 工作温

SiC MOSFET模块是一种基于碳化硅(SiC)材料的功率半导体器件，它结合了MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的高效开关特性和SiC材料的优异性能。与传统的硅基MOSFET相比，SiC MOSFET模块具有更高的工作温度、更低的导通电阻、更快的开关速度和更好的热导率，SiC MOSFET模块的引入有助于提高系统效率，减小系统尺寸和重量，是现代电力电子技术的重要进步。 SiC MOSFET Module SemiQ 的 SiC MOSFET 模块的开关损耗接近于零，大大提高了效率，减少了散热，并且需

　　充电桩类似于加油站中的加油机，可固定安装在地面或墙壁上，广泛应用于公共建筑(如商场、公共停车场)以及居民小区的停车场或充电站内，为各种型号的电动汽车提供不同电压级别的充电服务。

一、NTMFS4C020NT1G：30V 逻辑电平 N 通道 表面贴装型 产品说明：NTMFS4C020NT1G是一款30V 单 N 沟道功率 MOSFET晶体管。 产品属性： FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：47A（Ta），303A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），134W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL） 封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线 星际

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极性晶体管）是两种不同类型的功率器件，它们在不同的应用场景中具有不同的特点。以下是有关它们的一些信息以及在选择时需要考虑的因素： MOSFET： - 电压范围：MOSFET通常用于低至几伏特（V）到数百伏特的电压范围内的应用。一些高电压MOSFET也可以达到千伏以上的电压等级，但这通常是高端市场和特殊应用。 - 电流范围：MOSFET适用于低至毫安级别的小电流应用，也适用于几十安到几百安的