根据提供的型号和参数，以下是对该 MOSFET 型号 AO6402A-VB 的详细参数和应用简介： **型号：** AO6402A-VB **品牌：** VBsemi **参数：** - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：30V - 最大电流：6A - 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V - 门源电压阈值 (Vth)：1.2V - 标准门源电压 (±V)：20V - 封装：SOT23-6 **产品应用简介：** AO6402A-VB 是一款 N 沟道 MOSFET，适用于低至中功率的电子设备和模块的功率开关和放大器应用。这款 MOSFET 具有适度的额定电压承受能力和低的漏

型号：FDY3000NZ-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - **双N沟道：** 该器件包含两个N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，适用于不同类型的应用，如电源开关等。 - **工作电压（VDS）：** 20V，表示MOSFET的耐压上限，适用于中低电压电路。 - **持续电流（ID）：** 0.2A，表示MOSFET可以承受的最大电流。 - **导通电阻（RDS(ON))：** 300mΩ @ 4.5V，350mΩ @ 2.5V，20Vgs(±V)，表示MOSFET在导通状态时的电阻，这两个值分别对应不同的栅极电压。 - **阈值电压（Vth)：** 0.3V，表示MOSFET进入导

型号：AP9579GM-HF-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - P沟道 - 额定电压：-60V - 最大电流：-9A - RDS(ON)：24mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V - 门源电压（Vgs）范围：±20V - 阈值电压（Vth）：-1.92V - 封装：SOP8 应用简介： AP9579GM-HF-VB是一款P沟道MOSFET，适用于负向电压应用。它具有低通态电阻和适中的电流承受能力，适合多种负向电压电子设备。 应用领域： 1. **电源逆变器**：AP9579GM-HF-VB可用于电源逆变器模块，将负向电压转换为正向电压，适用于太阳能逆变器和电力系统。 2. **电源

型号：APM4953KC-TRL-VB 品牌：VBsemi 参数： - 2个P沟道 - 最大耐压：-30V - 最大电流：-7A - 开通态电阻：35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压：-1.5V 封装：SOP8 该型号的APM4953KC-TRL-VB是一种具有两个P沟道MOSFET的集成器件，适用于多种应用领域。以下是该产品的详细参数说明和应用简介： **详细参数说明：** - 最大耐压：-30V，表示它可以承受不超过30伏的电压。 - 最大电流：-7A，该MOSFET可以承受最高7安培的电流。 - 开通态电阻：在不同电压下，其导通状态的

型号：STN4NF03L-VB 品牌：VBsemi 参数： - N沟道 - 最大耐压：30V - 最大漏电流：7A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：25mΩ @ 10V, 38mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：1.5V - 封装：SOT223 应用简介： STN4NF03L-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于中功率电子应用。它具有适度的导通电阻和耐压特性，适合用于中功率电子系统。 领域模块应用： 1. DC-DC转换器模块：STN4NF03L-VB可用于DC-DC电源转换器，以提供有效的电能转换。 2. 电机控制模块：在中功率电机控制和驱动电路

根据提供的型号和参数，以下是对该 MOSFET 型号 AP4565GM-VB 的详细参数和应用简介： **型号：** AP4565GM-VB **品牌：** VBsemi **参数：** - 沟道类型：N+P沟道 - 额定电压：±30V - 最大电流：9A (正向电流) / -6A (反向电流) - 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：15mΩ @ 10V (正向电流), 42mΩ @ 10V (反向电流), 19mΩ @ 4.5V (正向电流), 50mΩ @ 4.5V (反向电流) - 门源电压阈值 (Vth)：±1.65V - 标准门源电压 (±V)：20V - 封装：SOP8 **产品应用简介：** AP4565GM-VB 是一款同时具有 N 和 P 沟道的 MOSFET

型号：SI2314DS-T1-E3-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - **N沟道：** 该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。 - **工作电压（VDS）：** 20V，表示MOSFET的耐压上限，适用于中低电压电路。 - **持续电流（ID）：** 6A，表示MOSFET可以承受的最大电流。 - **导通电阻（RDS(ON))：** 24mΩ @ 4.5V，33mΩ @ 2.5V，8Vgs(±V)，表示MOSFET在导通状态时的电阻，这两个值分别对应不同的栅极电压。 - **阈值电压（Vth)：** 0.45~1V，表示MOSFET进入导

型号：IRLMS2002TRPBF-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - N沟道 - 额定电压：30V - 最大电流：6A - RDS(ON)：30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V - 门源电压（Vgs）范围：±20V - 阈值电压（Vth）：1.2V - 封装：SOT23-6 应用简介： IRLMS2002TRPBF-VB是一款N沟道MOSFET，特别适用于低电压、低功耗应用。它具有低通态电阻、适中的电压额定值和电流承受能力，适合多种应用。 应用领域： 1. **电源管理模块**：IRLMS2002TRPBF-VB可用于电源管理模块，以实现电源开关和电池保护。 2. **移动设备**：在便携

型号：NTMS4177PR2G-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 - 最大耐压：-30V - 最大电流：-11A - 开通态电阻：10mΩ @ 10V, 13mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压：-1.42V 封装：SOP8 该型号的NTMS4177PR2G-VB是一种P沟道MOSFET晶体管，适用于多种应用领域。以下是该产品的详细参数说明和应用简介： **详细参数说明：** - 最大耐压：-30V，这表示它可以承受不超过30伏的电压。 - 最大电流：-11A，该MOSFET可以承受最高11安培的电流。 - 开通态电阻：在不同电压下，其导通状态的电阻分别为10

型号：IRLR3103TRPBF-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - MOSFET类型：N沟道 - 额定电压：30V - 最大电流：60A - 导通电阻（RDS(ON)）：10mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, 20Vgs - 阈值电压（Vth）：1.6V - 封装：TO252 应用简介： IRLR3103TRPBF-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种电子设备和电路中，特别适用于需要高电流、低导通电阻的功率开关和电源管理应用。 **应用领域和模块说明：** 1. **功率开关模块**： - 由于其N沟道MOSFET的高电流承受能力和低导通电阻，IRLR3103TRPBF-VB适用于功率开关模块

型号：ME2323D-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 - 额定电压：-20V - 最大电流：-4A - 开态电阻 (RDS(ON))：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V, 12Vgs (±V) - 阈值电压 (Vth)：-0.81V - 封装：SOT23 应用简介： ME2323D-VB是一款P沟道MOSFET，适用于需要低开态电阻和低电压的应用。这款MOSFET可用于电源开关、电池保护、信号放大和其他需要P沟道MOSFET的电路。 主要特点和应用领域： 1. **电源开关**：ME2323D-VB可用于电源开关应用，尤其适用于低电压电源，如电池供电设备。 2. **电池保护**：在

型号：NCE55P04S-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：2个P沟道 - 额定电压：-60V - 最大连续电流：-5.3A - 静态开启电阻（RDS(ON)）：58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V - 门源极电压（Vgs）：20V（±V） - 阈值电压（Vth）：-1V 至 -3V - 封装类型：SOP8 应用简介： NCE55P04S-VB 是一款具有2个P沟道的MOSFET，适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块： 1. **电源开关模块**：该MOSFET可用于电源开关模块，以实现高效电源的开关和调节。它适用于便携设备、电

型号: AP2310N-VB 品牌: VBsemi 参数: - 沟道类型: N沟道 - 额定电压: 60V - 最大电流: 4A - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 85mΩ @ 10V - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 96mΩ @ 4.5V - 门源电压 (Vgs): ±20V - 阈值电压 (Vth): 1V 至 3V - 封装: SOT23 应用简介: AP2310N-VB是一种N沟道场效应晶体管 (FET)，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用： 1. **电源开关：** AP2310N-VB可用作电源开关，用于控制电路中的电流流动。其高额定电压和适中电流容忍能力使其适用于各种电源开关电路。 2. **

型号：DMG2301U-7-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - 极性：P沟道 - 额定电压：-20V - 最大连续漏极电流：-4A - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：57mΩ @ 4.5V，83mΩ @ 2.5V - 门极-源极电压（Vgs）：12V（±V） - 開啟電壓（门极阈值电压）：-0.81V - 封装：SOT23 应用简介： DMG2301U-7-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有适中电流承受能力和低漏极-源极电阻，适用于多种电子应用领域。 应用领域： 1. **电源模块**：DMG2301U-7-VB适用于开关电源、电源管理模块和电池保护

型号：IRLML9303TRPBF-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - MOSFET类型：P沟道 - 额定电压：-30V - 最大电流：-5.6A - 导通电阻（RDS(ON)）：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs - 阈值电压（Vth）：-1V - 封装：SOT23 应用简介： IRLML9303TRPBF-VB是一款P沟道MOSFET，适用于多种电子设备和电路中，特别适用于需要功率开关、负载开关和电源管理的应用。 **应用领域和模块说明：** 1. **电源开关模块**： - 由于其P沟道MOSFET的特性，IRLML9303TRPBF-VB适用于电源开关模块，可用于功率开关和电源管理

型号: FDC6401N-VB 品牌: VBsemi 参数: - 沟道类型: N沟道 - 额定电压: 20V - 最大电流: 4.8A - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 22mΩ @ 4.5V - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 28mΩ @ 2.5V - 门源电压 (Vgs): ±12V - 阈值电压 (Vth): 1.2V 至 2.2V - 封装: SOT23-6 应用简介: FDC6401N-VB是一种N沟道场效应晶体管 (FET)，具有两个N沟道晶体管集成在一个封装内，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用： 1. **电源开关：** FDC6401N-VB可用作电源开关，用于控制电路中的电流流动。其双N沟道设计适合

型号：IRFR540ZPBF-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：100V - 最大连续电流：40A - 静态开启电阻（RDS(ON)）：30mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V - 门源极电压（Vgs）：20V（±V） - 阈值电压（Vth）：1.8V - 封装类型：TO252 应用简介： IRFR540ZPBF-VB 是一款高电压高电流N沟道功率MOSFET，适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块： 1. **电源开关模块**：该MOSFET可用于高电压高电流电源开关模块，以实现高效电源的开关和调节。它适用

型号: HM4447-VB 品牌: VBsemi 参数: - 沟道类型: P沟道 - 额定电压: -30V (负值表示P沟道) - 最大电流: -15A (负值表示P沟道) - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 5mΩ @ 10V - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 8mΩ @ 4.5V - 门源电压 (Vgs): ±20V - 阈值电压 (Vth): -1.7V - 封装: SOP8 应用简介: HM4447-VB是一种P沟道场效应晶体管 (FET)，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用： 1. **电源开关：** HM4447-VB可用作电源开关，用于控制电路中的电流流动。它的P沟道特性使其在特定应用中非常有效

型号：SSM3J332R-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - 极性：P沟道 - 额定电压：-30V - 最大连续漏极电流：-5.6A - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V - 门极-源极电压（Vgs）：20V（±V） - 開啟電壓（门极阈值电压）：-1V - 封装：SOT23 应用简介： SSM3J332R-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有适中的电流承受能力和适用于低电压应用的低漏极-源极电阻。这使其在多种电子应用领域中非常有用。 应用领域： 1. **电源模块**：SSM3J332R-VB适用于低电

型号：AP2321GN-HF-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - MOSFET类型：P沟道 - 额定电压：-30V - 最大电流：-5.6A - 导通电阻（RDS(ON)）：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs - 阈值电压（Vth）：-1V - 封装：SOT23 应用简介： AP2321GN-HF-VB是一款P沟道MOSFET，适用于多种电子设备和电路中，特别适用于需要负载开关和功率管理的应用。 **应用领域和模块说明：** 1. **电源开关模块**： - 由于其P沟道MOSFET的特性，AP2321GN-HF-VB适用于电源开关模块，可用于负载开关和电源管理。 - 在便携式电子

型号：NDT452AP-NL-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 - 额定电压：-40V - 最大电流：-6A - 开态电阻 (RDS(ON))：42mΩ @ 10V, 49mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压 (Vth)：-0.83V - 封装：SOT223 应用简介： NDT452AP-NL-VB是一款P沟道MOSFET，适用于负极性电压应用，具有低开态电阻和适中的电流电压特性。这款MOSFET适用于需要负电压开关和控制的领域。 主要特点和应用领域： 1. **电源开关**：NDT452AP-NL-VB可用于电源开关应用，如开关电源、DC-DC变换器和开关稳压器。其低开态电阻使其能

型号: AO3422-VB 品牌: VBsemi 参数: - 沟道类型: N沟道 - 额定电压: 60V - 最大电流: 4A - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 85mΩ @ 10V - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 96mΩ @ 4.5V - 门源电压 (Vgs): ±20V - 阈值电压 (Vth): 1V 至 3V - 封装: SOT23 应用简介: AO3422-VB是一种N沟道场效应晶体管 (FET)，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用： 1. **电源开关：** AO3422-VB可用作电源开关，用于控制电路中的电流流动。它的高电压容忍能力和低导通电阻使其在高功率应用中非常有效。 2. **电

型号: MCH3409-TL-VB 品牌: VBsemi 参数: - 沟道类型: N沟道 - 额定电压: 20V - 最大电流: 4A - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 45mΩ @ 10V - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 49mΩ @ 4.5V - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 60mΩ @ 2.5V - 门源电压 (Vgs): ±12V - 阈值电压 (Vth): 1V 至 3V - 封装: SC70-3 应用简介: MCH3409-TL-VB是一种N沟道场效应晶体管 (FET)，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用： 1. **低功耗开关：** MCH3409-TL-VB适用于低功耗开关应用，例如电源管理模块中的低功耗开关和电源切换。 2.

型号：FQD3N50C-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - MOSFET类型：N沟道 - 额定电压：650V - 最大电流：4A - 导通电阻（RDS(ON)）：2200mΩ @ 10V, 2750mΩ @ 4.5V, 20Vgs - 阈值电压（Vth）：3.5V - 封装：TO252 应用简介： FQD3N50C-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种电子设备和电路中。它在一些特定领域的模块中具有广泛的应用。 **应用领域和模块说明：** 1. **电源模块**： - 由于其高额定电压和适中的电流承受能力，FQD3N50C-VB适用于高电压电源模块。 - 可用于开关电源、高压DC-DC变换器