深圳市英锐恩科技有限公司创立于 2008 年，是一家从事单片机及模拟器件电路芯片应用、设计研发、销售一体的国家高新技术半导体企业。 英锐恩科技公司凭着自身在半导体电子行业MCU（8位单片机、32位单片机）中有软硬研发设计、系统开发编程、工具应用支持、专项集成解决方案等领域有十多年的实力，从市场信息调研、应用开发、产品研发、定制设计等技术服务；再从售前咨询，售中技术支持，售后增值服务，拥有经验丰富的工程技术团队与资

深圳市英锐恩科技有限公司成立于2008年，是一家致力于半导体产品定制开发和销售的国家高新技术企业，主营产品为8位单片机、32位单片机和模拟器件，为客户提供高可靠性、高性能、高性价比的半导体产品及芯片方案定制设计开发服务。 EN18系列8单片机可以替代Microchip微芯PIC单片机，MDT麦肯单片机，如深圳小家电控制芯片EN8P1812可以完全替代PIC16F54,PIC16C54C,CF745,PIC16C711,PIC16F716,MDT2005，MDT10P55B，MDT2051，MDT10P716等，可多次擦写重复烧录、性能稳定可靠，

还有没有国产替代厂商能完美兼容替代ST单片机STM8S003、华大HC32F003和新唐N76E003芯片的呢？下面英锐恩的小编为大家介绍一款完美兼容替代上述型号的芯片：恩智微低功耗增强型8051单片机EN8F5113 EN8F5113单片机是通用型1T 8051 Core单片机，在同样的系统时钟下，比传统的8051运行更快速，性能更优越，指令代码完全兼容传统8051。 EN8F5113保留了标准8051的主要特性，包括256字节RAM和2个16位定时器，芯片还集成了1K字节外部扩展RAM，可灵活配置的EEPROM、RTC和8K Flash

注：文章转自单片机代理英锐恩 华大单片机在32位单片机市场有具有什么优势呢？ 超低功耗芯片。华大单片机主要核心产品超低功耗系芯片。随着半导体工艺的飞速发展和芯片工作频率的提高，芯片的功耗迅速增加，而功耗增加又将导致芯片发热量的增大和可靠性的下降。因此，功耗已经成为深亚微米集成电路设计中的一个重要考虑因素。为了使产品更具竞争力，工业界对芯片设计的要求已从单纯追求高性能、小面积转为对性能、面积、功耗的综合

采用RISC 架构，仅有36 条单字/单周期指令 （除程序跳转指令外的所有其他指令都是单周期指令,程序跳转指令是双周期指令） 二级深的硬件堆栈 12 位宽指令集，8 位宽的数据路径 数据和指令的直接、间接和相对寻址模式 可擦写flash 芯片，片内闪存（ROM）为1K 字，数据存储容量（RAM）为41 字节 GP0~3 都可睡眠唤醒，且可通过软件独立设置内部上拉 工作速度：可通过软件设置为内部4MHZ 或者8MHZ，精度为2% 工作电压2.0V~5.5V，实际操作可以到达1.8V-6.6V,但保证

介绍：EN8F509 是低成本、高性能、8 位FLASH 单片机。采用RISC 架构，仅有36 条单字/ 单周期指令。 采用RISC 架构，仅有36 条单字/单周期指令 （除程序跳转指令外的所有其他指令都是单周期指令,程序跳转指令是双周期指令） 二级深的硬件堆栈 12 位宽指令集，8 位宽的数据路径 数据和指令的直接、间接和相对寻址模式 可擦写flash 芯片，片内闪存（ROM）为1K 字，数据存储容量（RAM）为41 字节 GP0~3 都可睡眠唤醒，且可通过软件独立设置内部上拉 工作速度：

EN8F152是一款是集高速、体积小、超低功耗和抗高噪声一体的静态CMOS 芯片。其支持flash工艺及OTP工艺、可免费烧录且性价比高 特性： 8 位指令集 8 层10bit 硬件堆栈 1Kx14b 程序FLASH 存储空间（16bytes/page） 256x8b 数据EEPROM（16bytes/page） 数据EEPROM 可在应用编程 64x8b SRAM 1 x 带8 位预分频的定时器0 1 x 带8 位预分频的定时器2 带7 位预分频的WDT，溢出频率约为16ms~2048ms 上电延迟计数器PWRT 低功耗模式SLEEP 4 个唤醒源，INT、端口变化中断、WDT、数据EEPROM 写完成 内置高

自主精简指令集 8 层硬件堆栈 x11bit 2T 或 4T 指令周期 2Kx14b 程序存储空间 程序存储空间的 checksum 自动校验 可配置，User Option 256x8b 数据 EEPROM 数据 EEPROM 在应用编程 高耐用性 EEPROM 程序和数据 EEPROM 可经受 100 万次写操作 EEPROM 保存时间>40 年 128x8b SRAM 1 x 带 8 位预分频的定时器 0 1x 带 3 位预分频的 16 位定时器 1 1 x 带 8 位预分频的定时器 2 增强性捕捉、比较和可编程“死区”时间的 PWM 模块 时钟源可选：系统时钟或者是内部 32MHz 时钟 单次脉冲模式 最多

介绍：EN8F509 是低成本、高性能、8 位FLASH 单片机。采用RISC 架构，仅有36 条单字/ 单周期指令。 采用RISC 架构，仅有36 条单字/单周期指令 （除程序跳转指令外的所有其他指令都是单周期指令,程序跳转指令是双周期指令） 二级深的硬件堆栈 12 位宽指令集，8 位宽的数据路径 数据和指令的直接、间接和相对寻址模式 可擦写flash 芯片，片内闪存（ROM）为1K 字，数据存储容量（RAM）为41 字节 GP0~3 都可睡眠唤醒，且可通过软件独立设置内部上拉 工作速度：

电热毯芯片EN8P2712特性： 上电复位（Power-on Reset,POR） 低电压检测(LVD)和欠压复位(BOR) 上电复位（Power-on Reset,POR） 具有专用片内RC 振荡器的看门狗定时器（WDT），能够可靠地工作 代码保护功能 独立的可编程若上拉功能 节省功耗的休眠模式 可选的振荡器选项： IRC：16M/8M/4M/32KHz 内部振荡器 RC：廉价外部RC 震荡器 LFXT：低频晶体振荡器 XTAL：标准晶体振荡器 低功耗特性CMOS 技术 工作电流： 在2V、8MHz 时< 170 uA 待机电流： 2V 时典型值为<1UA 看门狗定时器

由于电路板的兼容性设计，大部分工程师在设计电路时都会想把板子设计的越小越好。所以对于单片机的选择，更多的是希望单片机的体积越小越好，当然，这是在功能达到的前提下。 国产单片机近几年的发展势头迅猛，尤其是以8位单片机为主的市场。近几年国内的中低端芯片已经可以做到自给自足，像国内英锐恩等厂商已经在单片机开发与方案设计中有成熟经验和许多成功案例。 小体积具有内存空间大、体积小、兼容性强、工作电压在1.8-5.0V间。

介绍：EN8F509 是低成本、高性能、8 位FLASH 单片机。采用RISC 架构，仅有36 条单字/ 单周期指令。 采用RISC 架构，仅有36 条单字/单周期指令 （除程序跳转指令外的所有其他指令都是单周期指令,程序跳转指令是双周期指令） 二级深的硬件堆栈 12 位宽指令集，8 位宽的数据路径 数据和指令的直接、间接和相对寻址模式 可擦写flash 芯片，片内闪存（ROM）为1K 字，数据存储容量（RAM）为41 字节 GP0~3 都可睡眠唤醒，且可通过软件独立设置内部上拉 工作速度：

介绍：EN8F630 是低成本、高性能、8 位、全静态flash 的CMOS 单片机。采用RISC 架构，仅有37 条单字/ 单周期指令 高性能RISC CPU： 采用RISC 架构，仅有37 条单指令 （除程序跳转指令外的所有其他指令都是单周期指令,程序跳转指令是双周期指令） 8 级深的硬件堆栈 14 位宽指令集, 8 位宽的数据路径 可擦写flash 芯片，片内闪存（ROM）为1K 字，数据存储容量（RAM）为64 字节 EEPROM 大小为128 字节 数据和指令的直接、间接和相对寻址模式 PA0~5 可睡眠唤醒，且可通过

介绍：EN8F202 是低成本、高性能、8 位FLASH 单片机。采用RISC 架构，仅有36 条单字/ 单周期指令。EN8F202 器件的性能比同价位的同类产品要高出很多，易于使用且便于记忆的指令集大大缩短了开发时间 采用RISC 架构，仅有36 条单字/单周期指令 （除程序跳转指令外的所有其他指令都是单周期指令,程序跳转指令是双周期指令） 二级深的硬件堆栈 12 位宽指令集，8 位宽的数据路径 数据和指令的直接、间接和相对寻址模式 可擦写Flash 芯片，片内闪存（ROM）为1K

自主精简指令集 8 层硬件堆栈 x11bit 2T 或 4T 指令周期 2Kx14b 程序存储空间 程序存储空间的 checksum 自动校验 可配置，User Option 256x8b 数据 EEPROM 数据 EEPROM 在应用编程 高耐用性 EEPROM 程序和数据 EEPROM 可经受 100 万次写操作 EEPROM 保存时间>40 年 可编程的参考电压 比较结果可直接输出 低电压复位 LVR：2.0V/2.2V/2.8V 低电压检测 LVD：2.0V2.4V/2.8V/3.0V/3.6V/4.2V 两路稳压输出： 每路分别可输出多达 32 档电压 最多 14 个通用 IO，16 根芯片管脚 14 个 IO 带独立上拉控制 4

电热水壶控制芯片EN8F677E特征: 全静态CMOS 设计 8 位数据总线 片上FLASH ROM 大小: 2.0 K 内部RAM 大小: 256 字节 内部EEPROM 大小: 256 字节 37 单字节指令 14-位指令宽度 8 级堆栈 工作电压: 2.5 V ~ 5.5 V (PEDH 关) 4.5 V ~ 5.5 V (PEDH 开) 工作频率: DC ~ 20 MHz 间接和直接寻址模式 上电复位 电源边沿检测复位 掉电睡眠模式SLEEP 捕捉/比较/PWM 模块 SSP 模块 USART 模块 14 中断源: -外部INT 引脚 -TMR0 , TMR1 , TMR2 定时器中断 -A/D 转换中断 -PA/PB 中断 -CCP1 中断 -SSP 中断 -USART 中断 -2 比较器

国产单片机-电饭煲控制芯片单片机 介绍：EN8F2711 是低成本、高性能、8 位、全静态flash 的CMOS 单片机。EN8F2711 拥有 16pin、14pin 和 8pin 的 DIP/SOP 封装，带有 AD 模块、PWM 模块 采用RISC 架构，仅有37 条单指令 （除程序跳转指令外的所有其他指令都是单周期指令,程序跳转指令是双周期指令） 8 级深的硬件堆栈 14 位宽指令集, 8 位宽的数据路径 可擦写FLASH 芯片，片内闪存（ROM）为1.5K 字，数据存储（RAM）为64 字节 数据和指令的直接、间接和相对寻址模式 PA-5

EN8F629是红外遥控器专用芯片 EN8F629 是低成本、高性能、8 位、全静态flash 的CMOS 单片机。采用RISC 架构，仅有37 条单字/ 单周期指令。除程序跳转指令为两个周期外的所有其他指令都是单周期的。EN8F629 器件的性能比同价位的同类产品要高出很多。易于使用且便于记忆的指令集大大缩短了开发时间。 高性能RISC CPU： 采用RISC 架构，仅有37 条单指令 （除程序跳转指令外的所有其他指令都是单周期指令,程序跳转指令是双周期指令） 8 级深的硬件堆栈 14 位宽

防盗复位芯片是一个应用在电路上面排除干扰影响及电路复位功能的芯片。主要使用在车辆防盗等电子产品中 EN8F509是一颗做车辆防盗的复位芯片。其主要特性有： 采用RISC 架构，仅有36 条单字/单周期指令 （除程序跳转指令外的所有其他指令都是单周期指令,程序跳转指令是双周期指令） 二级深的硬件堆栈 12 位宽指令集，8 位宽的数据路径 数据和指令的直接、间接和相对寻址模式 可擦写flash 芯片，片内闪存（ROM）为1K 字，数据存储容量（RAM）为41 字

数码相机便携式充电器芯片方案 数码相机的便携式充电器是一种将交流电转换为低压直流电的设备，采用EN8F158，将电压和频率固定不变的交流电变换为直流电的一种静止变流装置。充电器的外形小巧、方便携带，所以一般情况下充电器的内置锂电容量都不是很大，一般情况是在800mAh-2000mAh.但这个已经足够为数码相机充电了。 EN8F158是英锐恩的8位单片机，带AD/PWM/EEPROM等模块功能。工作电压在1.8V~5.5V之间，有FLASH/OTP两种工艺类型可以选择。主要广泛应用

EN8F629 是低成本、高性能、8 位、全静态flash 的CMOS 单片机。采用RISC 架构，仅有37 条单字/ 单周期指令。除程序跳转指令为两个周期外的所有其他指令都是单周期的。EN8F629 器件的性能比同价位的同类产品要高出很多。易于使用且便于记忆的指令集大大缩短了开发时间。 高性能RISC CPU： 采用RISC 架构，仅有37 条单指令 （除程序跳转指令外的所有其他指令都是单周期指令,程序跳转指令是双周期指令） 8 级深的硬件堆栈 14 位宽指令集, 8 位宽的数据路径 可

听音乐是一种很享受的事情。柔和的音乐能舒缓身心，激烈地音乐能振奋人心。不同的音乐会给人带来不一样的体验。音乐氛围灯就是利用这个点，将LED灯光与音乐结合，给人带来不一样的听音乐体验。 音乐氛围灯是目前市面上较热门的电子产品。可放在卧室、客厅、车内等空间调节灯光和氛围。当有音乐播放时，它还可以通过音乐的变化而变换颜色。是对于视觉和听觉的双重享受体验。 智能音乐氛围灯的使用非常简单，开机之后短按顶帽可连续改

刷抖音的同伙近来必定都被一个小东西刷屏了，它便是蓝牙耳机收纳盒 蓝牙耳机收纳盒的呈现办理了蓝牙耳机充电和收纳收拾的成绩。有时候耳机应用光阴太长，又没有方法充电经常令人懊恼。为了办理这个成绩，蓝牙耳机收纳盒这时就出如今人们的生涯中了。 蓝牙耳机重要有如下几个功效： 1.收纳收拾：用过蓝牙耳机的人都晓得，蓝牙耳机体积较小。当用完以后假如到处搁置的话很容易丧失或许找起来很费事，蓝牙耳机收纳盒有效地办理了乱放难

EN10P是专用的控制器，是一个集高速、体积小、超低功耗和抗高噪声一体的静态CMOS 芯片。专门应用于：iphone5, ipodnano，ipadmini，ipad4等拥有Lightning接口的苹果设备的数据线加密ASIC，完美支持充电和数据传 ◆可支持设备放电完全后充电开机； ◆完美充电0%--100%； ◆数据传输过程完整，无断开或不支持传输情况； ◆支持IOS系统最新版本 ◆OTP工艺，拥有一次性的预留升级功能 ◆内部带失效故障检测，经过24小时老化测试无问题； ◆通过100万次以上连续掉

EN8F684 使用Flash 所设计的8 位低成本、高性能、全静态的CMOS 单片机。EN8F684器件的性能比同价位的同类产品

楼下补充，谢谢……

介绍：EN8F509 是低成本、高性能、8 位FLASH 单片机。采用RISC 架构，仅有36 条单字/ 单周期指令。 采用RISC 架

介绍：EN8F2711 是低成本、高性能、8 位、全静态flash 的CMOS 单片机。EN8F2711 拥有 16pin、14pin 和 8pin 的 DIP/SOP

介绍：EN8F202 是低成本、高性能、8 位FLASH 单片机。采用RISC 架构，仅有36 条单字/ 单周期指令。EN8F202 器件

EN8F629 是低成本、高性能、8 位、全静态flash 的CMOS 单片机。采用RISC 架构，仅有37 条单字/ 单周期指令。除

介绍：EN8F202 是低成本、高性能、8 位FLASH 单片机。采用RISC 架构，仅有36 条单字/ 单周期指令。EN8F202 器件

晓看天色暮看云